IPI60R199CPXKSA2 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 139W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO262-3-1
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basisproduktnummer: IPI60R199