IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??C6
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 26.6W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-ThinPak (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: IPL60R1