IRF6716MTRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??MX
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric MX
Basisproduktnummer: IRF6716