IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.6A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IPS60R3