IRF7749L2TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 33A (Ta), 375A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DirectFET??Isometric L8
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric L8