IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Discontinued at Digi-Key
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 44A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: IRFH4210