IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 18.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 127W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IPP50R190