IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Verpackung / Koffer: 6-PowerVDFN
Basisproduktnummer: IRFHS9301