IRFIZ24NPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 29W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB Full-Pak
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: IRFIZ24