IRF6623TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??ST
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric ST
Basisproduktnummer: IRF6623