IRF6785MTRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??MZ
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric MZ
Basisproduktnummer: IRF6785