IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??5
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IPP051