SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 128W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO252-3
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: SPD15P10