SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 340W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-1
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: SPP80P06