IRL2910STRRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 55A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: IRL2910