LSIC1MO120E0080 Littelfuse Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Littelfuse Inc.
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 179W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247AD
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: LSIC1MO120