UPA2463T1Q-E1-AX Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-HUSON (2.7x2)
Verpackung / Koffer: 8-WFDFN Exposed Pad