RJK0390DPA-00#J53 Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 65A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WPAK
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 65A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WPAK
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
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