2SK669-AC onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Box
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 200mW (Ta)
Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SPA
Verpackung / Koffer: 3-SIP