NDS335N Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3