UPA2810T1L-E1-AY Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-VDFN Exposed Pad