FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 380mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)