IRF630 Harris Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3