RJK60S5DPE-00#J3 Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LDPAK
Verpackung / Koffer: SC-83