PMCM650VNEZ NXP USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 6 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Verpackung / Koffer: 6-XFBGA, WLCSP