ECH8402-TL-E onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-ECH
Verpackung / Koffer: 8-SMD, Flat Lead