SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 262W
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: SCT3030