FQE10N20CTU Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 12.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126-3
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3