2SJ650 onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220ML
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack