FQB19N10LTM Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK (TO-263)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB