UPA2709AGR-E1-AT Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PSOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)