HAT2165N-EL-E Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 55A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5180 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 30W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-LFPAK-iV
Verpackung / Koffer: 8-PowerSOIC (0.154\ 3.90mm Width)