IXTU01N100 IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-251AA
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IXTU01