IXFP34N65X2M IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X2
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220 Isolated Tab
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basisproduktnummer: IXFP34