IXTB62N50L IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Linear
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PLUS264??