IXTH96N25T IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Trench
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 625W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 (IXTH)
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: IXTH96