IXFN50N120SIC IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 20 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-227B
Verpackung / Koffer: SOT-227-4, miniBLOC
Basisproduktnummer: IXFN50