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IXFA7N80P IXYS Einzelne FETs MOSFETs

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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Polar
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 200W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263AA (IXFA)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: IXFA7N80

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