IXFR4N100Q IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Q Class
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 80W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: ISOPLUS247??