IXFJ20N85X IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 850 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: ISO TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: IXFJ20