IXTT2N170D2 IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Depletion
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
FET-Funktion: Depletion Mode
Verlustleistung (max.): 568W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-268AA
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: IXTT2