IXFN82N60Q3 IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Q3 Class
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 960W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-227B
Verpackung / Koffer: SOT-227-4, miniBLOC
Basisproduktnummer: IXFN82