IXTP6N100D2 IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Depletion
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
FET-Funktion: Depletion Mode
Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IXTP6