PMH1200UPEH Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 520mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN0606-3
Verpackung / Koffer: 3-XFDFN
Basisproduktnummer: PMH1200