PSMN4R1-30YLC,115 Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 92A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1502 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 67W (Tc)
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung / Koffer: SC-100, SOT-669
Basisproduktnummer: PSMN4R1