PMFPB8032XP,115 Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-HUSON (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-UFDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: PMFPB8032