BSH111BKR Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 210mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 302mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-236AB
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: BSH111