BSH205G2R Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 480mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q100
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-236AB
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: BSH205