BSS192,135 Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 240 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-89
Verpackung / Koffer: TO-243AA
Basisproduktnummer: BSS192