Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 400mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basisproduktnummer: 2N7000
